onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.42436
2898
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.47632
15456
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):400mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 400 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.499
52948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥0.509
35650
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.802
12218
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):4.845V~5.355V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0219
112660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0216
294573
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0224
512781
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-523
¥0.02457
29038
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0319
54981
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.02808
76552
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.033
29050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
华轩阳
SOT-23
¥0.03224
189052
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
华轩阳
SMA
¥0.036432
14230
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0488
11700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0489
411233
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0615
63795
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.092
311653
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0899
21207
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
LGE(鲁光)
SMC
¥0.14607
35372
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
ST(意法半导体)
DO-204AH,DO-35,轴向
¥0.13993
44167
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):430 mW
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.144639
411692
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.1716
58579
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.198
11286
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.158207
51875
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.165
204212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.181
702025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.19005
32758
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DOWO(东沃)
TO-277B
¥0.299
41654
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@100V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.34944
51905
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.36
433253
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.385
187250
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):25 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.41
84765
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.426
307109
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBU
¥1.0506
5016
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
onsemi(安森美)
DSN-2(0.8x1.6)
¥1.2573
2446
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.01928
114698
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02547
18397
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.0296
58879
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.0361
23600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.053
64855
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0568
415318
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0671
1136121
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0657
27572
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
132228
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.088
195674
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.1
2218154
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1057
391914
正向压降(Vf):450mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):500uA@30V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.10406
48326
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.11
152575
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度