MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.0353
188371
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
晶导微电子
SMA
¥0.04129
998814
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-523
¥0.04618
134495
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
LRC(乐山无线电)
SOD-923
¥0.0555
256391
正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0729
141413
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0827
862708
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.11336
22467
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.09048
50489
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
SHIKUES(时科)
SMB
¥0.10584
38188
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.11648
413075
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123FL
¥0.11
22872
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.178577
114035
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.2304
72134
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.292
689867
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.34358
30519
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.8
507
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03858
27503
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):10.1uA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
BORN(伯恩半导体)
SOD-523
¥0.041
68372
正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0464
100522
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
德昌电子
SOD-123
¥0.10866
288
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):45nA@12.6V,稳压值(范围):17.64V~18.36V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0777
63794
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.06487
314720
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0968
193875
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1122
215852
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):25uA@8V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.106918
74736
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 7.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.19055
42711
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.21
70613
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.243
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.35967
3965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.441
14676
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4565
30796
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 12.2 V
晶导微电子
SMC
¥0.2959
0
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+125℃
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.8862
6882
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.7971
24930
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOD-123
¥0.0182
38538
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
7550
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
CBI(创基)
SOD-123
¥0.0385
19600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.0385
841190
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.069
24555
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOD-123
¥0.0845
57740
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):100uA@10V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0959
265283
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1118
643294
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1352
8302
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.16432
17374
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.267148
2240
类型:齐纳,双向通道:2,电压 - 反向断态(典型值):36V,不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):45V,电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):2A(8/20µs)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.37
307097
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3621
216994
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 13.7 V
MDD(辰达行)
SMB
¥0.4577
1625
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
KBL
¥0.59201
46888
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.01557
48375
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):350mW