晶导微电子
SOT-23
¥0.0237
2969286
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03256
29015
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04176
133330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0451
168468
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.079
99925
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.09495
286951
正向压降(Vf):385mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):250uA
华轩阳
SOD-123FL
¥0.10215
35580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.106
70455
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA
¥0.3822
51851
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.295
94382
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2999
32392
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.43952
97908
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.565
61465
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.02943
54487
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.036575
24018
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):40A
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.047
26836
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):48V~54V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.05097
1170112
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0715
148767
二极管配置:1对串联式,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
MDD(辰达行)
KBP
¥0.233
24986
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.2846
919691
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.34
33198
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.43758
46918
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.3955
29217
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.4 V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.01638
27895
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.0255
432171
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
LL-34
¥0.0245
32684
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):18.8V~21.2V
华轩阳
LL-34
¥0.024
80430
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):1.8V~2.15V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03285
15800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
晶导微电子
MBF
¥0.0435
1414764
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0572
50212
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0605
11184
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.055
540525
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0566
116102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.06042
122161
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.07155
143606
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0713
43832
正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):100uA@20V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1012
57738
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-76,SOD-323
¥0.119
200950
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):150 mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.11616
315428
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.15288
69033
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.14976
40114
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.225245
9100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.2038
19996
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.2904
12141
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.43381
48496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
华轩阳
TO-277
¥0.8
24671
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.47
268257
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):660mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
SHIKUES(时科)
SOD-323G
¥0.0129
63383
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022
160299
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0286
95606
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V