MDD(辰达行)
SMAF
¥0.0957
119063
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.097
145805
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.10608
46786
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1019
25027
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.18
19320
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.2989
64814
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOT-23
¥0.0209
49645
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0443
161296
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0613
49291
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):6.4V~7.2V
SHIKUES(时科)
LL-34
¥0.06195
60203
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0573
47075
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):1.8V,反向电流(Ir):7.5uA@1V,稳压值(范围):1.71V~1.89V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
18919
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):7.5uA,稳压值(范围):3.13V~3.47V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0659
98460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1144
84571
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.115
129637
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.12064
102893
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.2028
22786
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.25
32567
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
LL-34
¥0.02059
46435
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@6.8V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
CBI(创基)
SOT-23
¥0.018
31851
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0456
60342
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.0441
672685
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523-3
¥0.0762
163228
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0586
310480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.056
421063
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0668
818004
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.08008
270590
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7 V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.2808
8500
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):2W
MDD(辰达行)
DBS
¥0.23837
39718
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.3286
50798
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.4484
16552
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMC
¥0.7072
71680
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02896
50705
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.0315
56973
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.05366
1000613
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0449
4862424
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0554
19975
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.402
519838
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.02943
83548
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):50nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.038
312317
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):715mV,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0435
35739
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.05568
28650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.05959
122505
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):25uA@8V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0667
308516
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.07384
63587
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.084
78016
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0847
11222
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1045
20220
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.2704
73703
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):380mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 275 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0216
145036
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.2V,稳压值(范围):7.7V~8.7V