YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.07758
14698
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.08968
41005
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.08887
494135
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.16328
21784
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.6983
46654
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
LL-34
¥0.02163
69316
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA@3V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
晶导微电子
SOD-123
¥0.02818
28731
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0341
185961
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KEXIN(科信)
DO-214AC(SMA)
¥0.037
83400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0685
141727
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@30V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.099
222170
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.175
116522
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.2035
43050
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.208
1559100
二极管配置:1 对串行连接,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.25
77045
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.283
152014
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):445 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
LL-34
¥0.0209
60868
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
JUXING(钜兴)
LL-34
¥0.0233
62452
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0429
170547
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0462
550055
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):2uA@75V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.05885
439156
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0896
256394
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.17
193066
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02257
148813
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.02912
76246
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.0312
85770
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
MBF
¥0.0429
235375
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0678
240683
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.30552
4349
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@30V
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥0.93418
9827
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-123
¥0.01695
97525
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
华轩阳
SOD-523
¥0.0233
149356
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
345898
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0373
92149
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):10.1uA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.05658
13346
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.046
30075
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.06241
326835
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SMAF
¥0.0714
1191098
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.6754
127458
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-123F
¥0.4
15534
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123FL
¥0.011932
99650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.028
45086
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.034936
370010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0363
3961773
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0392
897556
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.06
10576
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.07509
122779
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):680mV@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.0754
7501
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.074399
332744
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.089
85559
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V