Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.0303
110448
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.04638
29742
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:350mA
Hottech(合科泰)
SOD-123FL
¥0.0748
30530
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
DO-214AC,SMA
¥0.0742
64123
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.081
156244
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.145
74583
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.19
38871
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.299
96346
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
POWERDI®123
¥0.45
117738
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):860 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOD-323
¥0.01716
119642
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.019584
7618
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
41379
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
晶导微电子
SMA
¥0.04368
112532
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.04462
78694
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.047
499989
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0671
273723
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123W
¥0.2205
0
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.25
969280
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.292
16798
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 300 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.429462
42384
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AA,SMB
¥0.5709
12418
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.402
14961
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.83673
9285
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):420mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.01635
322436
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.0172
293575
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0206
115259
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.02288
24734
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.2V~6V
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02888
58539
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03744
28100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.041895
102643
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0577
51482
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0758
464112
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.08757
16876
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.12272
310412
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.112
51536
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.15912
123576
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.29424
160753
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.379
6607
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.6014
19095
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥1.03584
14835
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
UMW(友台半导体)
SOD-123FL
¥0.018
183164
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0488
723228
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):200mW
平晶
SOD-323
¥0.0735
24805
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.079
87453
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.07904
32223
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.105
411168
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15419
36420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥0.41
6719
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3532
23961
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1226
12962
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)