DIODES(美台)
SMA
¥0.235
21938
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.4 V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0167
1534055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0427
28096
正向压降(Vf):1.1V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0475
508506
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA@10.5V,稳压值(范围):14.3V~15.8V
晶导微电子
SMA
¥0.0764
1618260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0823
87395
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0226
134329
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0277
37591
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0319
217926
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03401
46878
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.058
1103182
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.03904
151186
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08122
37368
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0864
46409
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.1111
63353
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):720mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1664
64324
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
FOSAN(富信)
LL-34
¥0.022705
145100
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0229
283466
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CBI(创基)
SOT-23
¥0.01924
34622
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:160mA
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.0286
59581
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
华轩阳
LL-34
¥0.0227
67811
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):100nA@5V,稳压值(范围):7V~7.9V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.02954
38398
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.073
17870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.065
41870
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0761
847101
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.116
16500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):620mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.167
218927
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.015295
438409
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
BORN(伯恩半导体)
SOD-123FL
¥0.02438
169044
正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.034
596270
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.033345
86871
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.04641
23455
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04337
21452
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.056
11674
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.048
439014
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
963738
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.06302
75082
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@100V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0654
1372567
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
Hottech(合科泰)
ABS
¥0.07427
47765
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.0836
182686
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥0.466
32590
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.49
213691
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.528264
5446
正向压降(Vf):650mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):400uA@20V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-923
¥0.0538
54851
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@20mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05117
50396
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.085
15299
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.0931
194886
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):110mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.2465
13329
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC
¥0.353
116521
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@100V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.36
147816
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)