MDD(辰达行)
DB
¥0.156
157867
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.224
1417129
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.75
37710
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
晶导微电子
SOT-23
¥0.0242
3478974
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
DOWO(东沃)
SOD-523
¥0.04312
34006
正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V
UMW(友台半导体)
SOP-4
¥0.04337
17259
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA
ST(先科)
SOD-123
¥0.046
328371
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.084
14978
正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.095
113575
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.21
305478
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.2918
78433
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
MBS
¥0.0373
680098
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0439
421295
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.047
539377
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.088
249159
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMC
¥0.10692
54870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3817
83748
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 3 V
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.69264
20743
正向压降(Vf):470mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):175A
晶导微电子
SMA
¥0.0363
1247874
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0461
28603
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1098
75380
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1.5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08122
7232
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.108
112964
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.18
147051
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0315
180712
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.032
397349
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0536
138772
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.07771
85921
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.08904
296380
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.10816
165496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.115
145497
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.03424
262792
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
华轩阳
SOD-123
¥0.0337
125440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07488
440279
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):5V~5.2V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.087
717675
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
晶导微电子
ABS
¥0.1045
717890
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
SMA
¥0.38
191013
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.534
36025
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
GBU
¥0.638
36683
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0209
686399
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.033
75787
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.0403
214138
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0675
43086
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@60V
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.0696
44108
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0737
131550
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.082026
99768
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.0678
63496
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.29526
16267
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0588
169070
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.7V~6.3V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05533
497599
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.9V