CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.058
70461
正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):500nA@25V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.0605
122068
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.85V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.48
28096
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.4378
4683
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.699
113428
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.02283
1260550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0331
121193
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
Nexperia(安世)
SOT-143-4
¥0.1
353333
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.14399
34553
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.12708
112728
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.011685
239845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.02912
89692
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.05328
209756
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07883
27168
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.2
238980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.832
76565
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.01862
47500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0316
170809
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.0336
116621
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.072
173116
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.09965
33949
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0961
115391
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.10379
97322
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.242
127049
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.278
55700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.30549
33415
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
华轩阳
SOD-123
¥0.01841
363426
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.0276
48900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0572
661711
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.07176
34072
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+150℃
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0537
172326
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0886
840371
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.1452
152156
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.155
53101
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.2515
48579
正向压降(Vf):1.7V@4.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.02808
89374
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03256
13000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.045
694566
正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.052
1021568
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.098
450097
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.198
361732
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0504
1500127
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.13728
56230
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.267
735452
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
R-6
¥0.3123
53611
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.6787
20810
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.03536
125859
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0385
739241
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@60V
ST(先科)
SOD-123FL
¥0.0471
38033
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
华轩阳
SMB
¥0.072952
46047
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A