onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.76467
107432
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.02985
85663
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0429
93153
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
ST(先科)
LL-34
¥0.044
582656
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
362119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.13
55928
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):30mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.193
179234
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.033
1820401
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0484
241736
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0908
151506
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02028
412452
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.02673
31938
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-41
¥0.0517
73526
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.082
139830
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
晶导微电子
SMA
¥0.0231
3780424
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.045
306386
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.7846
13835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0445
572179
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.0665
20034
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.26
73891
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0181
777135
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0231
85423
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-523
¥0.03369
391764
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
53597
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7.79V~8.61V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0654
140783
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.02337
173263
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0293
47598
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0374
524276
转折电压(典型值):32V,转折电流(Ibo):50uA,通态电流(It):2A,转折电压(范围值):28V~36V
MDD(辰达行)
ABS
¥0.105
263565
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.531
15606
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0385
281623
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
晶导微电子
SMB
¥0.125
1101217
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.02
201214
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:300mA,反向电流(Ir):1uA@75V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.0315
89745
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.05092
122629
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
Comchip(典琦)
WBFBP-02L(1.6x0.8)
¥0.1476
7310
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
DO-214AB
¥0.2016
10198
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
ElecSuper(静芯)
SOD-123FL
¥0.0228
45052
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YFW(佑风微)
SMB
¥0.1121
4905
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03578
128531
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
KUU(永裕泰)
0603
¥0.06
372821
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0699
761088
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.18014
201733
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0377
1089570
正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.0444
566494
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.085
683500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.111
371356
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.297
49035
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@5A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.391
93515
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 11.4 V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.05624
110950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A