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IMBF170R650M1XTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-7-13
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IMBF170R650M1XTMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-7-13
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30+:￥26.25 10+:￥29.13 1+:￥33.97 |
22 |
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立即发货
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立创商城
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IMBF170R650M1XTMA1
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Infineon Technologies/IR
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TO-263-7
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500+:￥26.2315 100+:￥28.8392 3+:￥31.776 |
1050 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IMBF170R650M1XTMA1
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Infineon Technologies/IR
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TO-263-7
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500+:￥41.5788 250+:￥43.7804 2+:￥44.204 |
1730 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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IMBF170R650M1XTMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263-7-13
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100+:￥43.5733 30+:￥52.288 10+:￥65.36 1+:￥78.4319 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V，15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650毫欧 @ 1.5A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 1.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8 nC @ 12 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 422 pF @ 1000 V |
| 功率耗散（最大值） | 88W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |