onsemi(安森美)
DFN-8(2x2)
¥2.95
20
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥1.96
31480
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOP-8
¥1.85308
24867
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12V ~ 20V
DIODES(美台)
DFN-10-EP(3x3)
¥2.1
2128
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.7V ~ 14V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOP-8
¥2.5
12394
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:15V ~ 20V
TI(德州仪器)
VQFN-24(4x4)
¥2.646
958
驱动配置:高压侧和低压侧,通道类型:3 相,驱动器数:3,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOT-23-6
¥3.172
4652
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8.6V ~ 20V
COSINE(科山芯创)
SOP-8
¥3.69
1184
负载类型:MOSFET,驱动通道数:1,灌电流(IOL):6A,拉电流(IOH):6A
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥4.5643
14158
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥6.43
1308
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.72
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
Infineon(英飞凌)
SOIC-14
¥6.69
1928
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥5.8
8022
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.84
3310
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 18V
onsemi(安森美)
SOIC-10-1mm
¥7
172
应用:AC 调光控制器,电流 - 供电:600µA,电压 - 供电:16V ~ 18V,工作温度:-40°C ~ 85°C,安装类型:表面贴装型
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥8.16
394
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥8.2203
2980
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥8.27
9028
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.1079
36532
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
RENESAS(瑞萨)
QFN-16-EP(4x4)
¥9.3059
1800
输出配置:半桥(2),应用:数字成像,接口:逻辑,负载类型:容性和阻性,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥3.59
3232
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
Littelfuse(美国力特)
DIP-8
¥9.51
1414
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
TI(德州仪器)
VSSOP-10-0.5mm
¥12.59
38
工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥13.45
1377
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥20.56
45
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8-EP
¥9.416
10
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥6.9
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥13.56
152
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥12.272
1096
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:1200Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):200kV/µs,上升/下降时间(典型值):15ns,15ns
TI(德州仪器)
HTSSOP-56-6mm
¥17.2824
1609
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:并联,技术:功率 MOSFET
Littelfuse(美国力特)
TO-220-5
¥22.54
268
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
ST(意法半导体)
QFN-31(9x9)
¥14.9776
2640
输出配置:半桥,应用:通用,负载类型:容性,感性,技术:DMOS,导通电阻(典型值):150 毫欧
RENESAS(瑞萨)
SOIC-20-300mil
¥14.39
55
输出配置:半桥,全桥,应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,PWM,负载类型:容性和阻性,技术:N 沟道 MOSFET
3PEAK(恩瑞浦)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥0.7161
6285
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 23V
COSINE(科山芯创)
SOP-8
¥1.63
2090
负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A,拉电流(IOH):4A
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-28-300mil
¥2.32
1386
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:6,灌电流(IOL):250mA
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥2.34
38
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
SOT-23-6
¥2.53
3302
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 18V
TI(德州仪器)
SON-8-EP(3x3)
¥3.4916
2389
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 8.8V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥3.78
564
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 32V
不适用于新设计
DIODES(美台)
SO-8
¥5.79
70
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥4.494
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
Fortior Tech(峰岹)
SOIC-28-300mil
¥4.71
1029
驱动配置:三相;半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:6,灌电流(IOL):360mA
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥4.77
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.8
678
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
ADI(亚德诺)
SOT-23-6
¥4.5784
6771
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 12.6V
ADI(亚德诺)
SOIC-8
¥5.624
7292
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥4.55
5028
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(3x3)
¥6
136
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
TI(德州仪器)
WQFN-28(4x4)
¥7.23
365
电机类型 - 步进:多相,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),技术:功率 MOSFET