DGD05473FNQ-7
DIODES(美台)
DFN-10-EP(3x3)
¥2.1
2,128
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.7V ~ 14V
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封装
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DGD05473FNQ-7
DIODES(美台)
DFN-10-EP(3x3)

1000+:¥2.1

500+:¥2.23

100+:¥2.49

30+:¥2.91

10+:¥3.34

1+:¥4.2

2128

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DGD05473FNQ-7
美台(DIODES)
DFN-10-EP(3x3)

15000+:¥2.3819

3000+:¥2.6465

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-
DGD05473FNQ-7
DIODES(美台)
U-DFN3030-10

500+:¥2.487

200+:¥2.487

1+:¥2.487

0

19+/20+
DGD05473FNQ-7
DIODES(美台)
U-DFN3030-10

3000+:¥2.6

1+:¥2.71

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.7V ~ 14V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 0.8V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.5A,2.5A
输入类型 CMOS/TTL
高压侧电压 - 最大值(自举) 50 V
上升/下降时间(典型值) 16ns,12ns
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 10-UFDFN 裸露焊盘