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TPS28225DRBR
TI(德州仪器)
SON-8-EP(3x3)
栅极驱动芯片
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 8.8V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPS28225DRBR
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德州仪器(TI)
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QFN-8
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1000+:￥3.4916 100+:￥4.1899 10+:￥4.8882 1+:￥6.4158 |
1500 |
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油柑网
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TPS28225DRBR
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TI(德州仪器)
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VSON8
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500+:￥14.01 100+:￥14.7 20+:￥16.77 1+:￥21.21 |
800 |
19+
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在芯间
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TPS28225DRBR
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TI(德州仪器)
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SON-8-EP(3x3)
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30+:￥4.59 10+:￥5.2 1+:￥6.41 |
86 |
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立即发货
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立创商城
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Texas Instruments
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SON
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9000+:￥3.42 6000+:￥3.51 3000+:￥3.6 |
68000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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TPS28225DRBR
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Texas Instruments
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SON
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15000+:￥5.016 9000+:￥5.236 3000+:￥5.368 |
3000 |
21+
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3-5工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 8.8V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 0.8V，2.1V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 2A，2A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 33 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 10ns，10ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States;China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Dallas, US;Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Taiwan;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4 |