TPS51601ADRBR
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(3x3)
¥6
136
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
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封装
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TPS51601ADRBR
TI(德州仪器)
SON-8(3x3)

1000+:¥6.0

500+:¥7.18

200+:¥8.12

1+:¥9.83

116

19+/20+
TPS51601ADRBR
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(3x3)

30+:¥7.08

10+:¥8.02

1+:¥9.72

20

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TPS51601ADRBR
德州仪器(TI)
WSON-8-EP(3x3)

100+:¥7.8261

30+:¥9.3913

10+:¥11.7392

1+:¥14.087

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 0.7V,4V
输入类型 非反相
上升/下降时间(典型值) 15ns,10ns
工作温度 -40°C ~ 105°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Taiwan;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4