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1ED3123MU12HXUMA1
Infineon(英飞凌)
8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
栅极驱动芯片
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1200Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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1ED3123MU12HXUMA1
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥12.272 1+:￥12.6048 |
997 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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1ED3123MU12HXUMA1
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Infineon(英飞凌)
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SOIC-8-300mil
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30+:￥17.94 10+:￥20.1 1+:￥23.71 |
99 |
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