咨询/建议
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：硬件
停产
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（10），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：MOSFET（金属氧化物）
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
停产
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
停产
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（6），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：0V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（3），应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 48V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：4.5V ~ 12V
技术：光学耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，电流 - 输出高、低：1A，1A，电流 - 峰值输出：1A
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 12.6V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：20V ~ 70V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：11.5V ~ 20V
输出配置：全桥，应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：N 沟道 MOSFET
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：硬件
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 48V
输出隔离：隔离，内部开关：是，拓扑：反激，次级侧 SR，故障保护：限流，超温，过压，控制特性：软启动，同步
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 36V
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，步进电机，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：DMOS
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：硬件
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 15V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：13V ~ 20V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3750Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：35kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，50ns
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：20kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
电机类型 - 步进：多相，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：11.5V ~ 20V