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驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
技术：磁耦合，通道数：1，上升/下降时间（典型值）：10ns，9ns，电压 - 输出供电：10V ~ 35V，工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
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驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
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驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：30kV/µs（典型值），传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，40ns
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：并联，技术：NMOS
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：模拟，逻辑，负载类型：容性和阻性，技术：功率 MOSFET，IGBT
驱动配置：全桥，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，脉宽失真（最大）：5ns
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，接口：模拟，逻辑，PWM，SPI，导通电阻（典型值）：40 欧姆，电压 - 供电：3V ~ 5.5V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
负载类型：IGBT；MOSFET，驱动通道数：1，灌电流(IOL)：3.5A，拉电流(IOH)：4A
驱动配置：半桥，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：2.35V ~ 7V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：110ns，110ns
输出配置：半桥（2），应用：数字成像，接口：逻辑，负载类型：容性和阻性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：20V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：7V ~ 17V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，SiC MOSFET，电压 - 供电：-10V ~ 25V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 17V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
电压 - 供电：3.3V ~ 5.5V，工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ），安装类型：表面贴装，可润湿侧翼，封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘
驱动配置：全桥，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：多相，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 17V，逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2V
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 60V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：多相，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI，技术：功率 MOSFET