咨询/建议
停产
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 10V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：58ns，58ns
输出配置：半桥，应用：AC 电机，DC 电机，DC-DC 转换器，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：模拟，逻辑，负载类型：容性和阻性，技术：功率 MOSFET，IGBT
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 9.5V
通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V，逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
应用：光电型，电流 - 供电：25µA，电压 - 供电：3V ~ 7V，8V ~ 14V，工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：300kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：84ns，92ns
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 135V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
停产
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：全桥，通道类型：同步，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.25V ~ 16V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 48V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：全桥，应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：N 沟道 MOSFET
应用：汽车级，电流 - 供电：10mA，电压 - 供电：4.5V ~ 36V，工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 35V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
驱动配置：全桥，工作电压：3V~5.5V，特性：欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)；过热保护(OPT)，工作温度：-40℃~+85℃
驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2A
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：4A，拉电流(IOH)：4A
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.6V ~ 5.5V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.25V ~ 26V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.6V ~ 13.2V