onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.03
46
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥2.429
572
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
TOSHIBA(东芝)
SOP-8-Advance
¥2.63
21
上升时间(tr):8.6ns,下降时间(tf):12ns
Slkor(萨科微)
SOP-8-EP
¥2.55
0
DIODES(美台)
SO-8
¥2.48
4856
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
EG(屹晶微)
SSOP-24
¥2.52
2902
驱动配置:全桥,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):1.3A
EG(屹晶微)
SOP-20-300mil
¥2.318
205
驱动配置:三相;半桥,负载类型:MOSFET,灌电流(IOL):1.4A,拉电流(IOH):1.2A
Infineon(英飞凌)
SOT-23-6
¥2.87
0
驱动配置:半桥,低压侧,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-14
¥3.1392
59
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥3.4105
59
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥3.37
86
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
COSINE(科山芯创)
DIP-14
¥2.9
458
驱动配置:全桥;半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,灌电流(IOL):2.5A,拉电流(IOH):2.5A
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥3.645
72
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-14
¥3.696
280
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
VISHAY(威世)
MLP55-31L(5x5)
¥3.53
30199
输出配置:半桥,应用:同步降压转换器,稳压器,接口:PWM,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
MSOP-8-EP
¥3.582
379
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-28-300mil
¥3.927
100
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:6,灌电流(IOL):210mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-28-300mil
¥3.927
66
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:6,灌电流(IOL):210mA
onsemi(安森美)
SOT-23-5
¥3.58
1133
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.77
25
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥3.7632
47209
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
DIODES(美台)
SO-16
¥4.23185
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
HVSSOP-8
¥4.29
480
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥4.3676
101
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
DIODES(美台)
SOP-16-300mil
¥3.5532
2302
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.53
100
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥5.07
480
负载类型:IGBT,驱动通道数:1,灌电流(IOL):900mA,拉电流(IOH):1.3A
Littelfuse(美国力特)
DFN-8
¥5.8836
1513
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 30V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8-EP
¥5.1573
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥5.4445
10
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥6.365
11
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥5.996
28
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥9.15
43
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.65
80
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥6.1674
4
技术:容性耦合,通道数:1,电压 - 隔离:2500Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):90ns,90ns
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.58
59
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 8.8V
Infineon(英飞凌)
WSON-6
¥6.56
49
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥7.45
80
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 18V
ST(意法半导体)
SOIC-8
¥7.0592
0
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.59
3967
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ST(意法半导体)
SO-14
¥7.1856
98
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥8.01
25
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 16V
ADI(亚德诺)
SOIC-8-EP
¥5.929
788
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
RENESAS(瑞萨)
QFN-12(3x3)
¥8.8
1
电机类型 - AC,DC:ERM,LRA,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:I²C,应用:汽车,游戏,工业,移动,可穿戴
TI(德州仪器)
PFDFN-8
¥8.241
14
输出配置:半桥,应用:同步降压转换器,接口:PWM,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
Littelfuse(美国力特)
DIP-8
¥8.2
296
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥6.88
140
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥7.95
38
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
Infineon(英飞凌)
DSO-14
¥8.84
9
驱动配置:高压侧和低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥8.97
0
负载类型:MOSFET;IGBT,灌电流(IOL):2.5A,拉电流(IOH):2.5A,工作电压:10V~20V