咨询/建议
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，SiC MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 56V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：NMOS
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：35kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，50ns
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1200Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 60V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：14V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，螺线管，接口：逻辑，PWM，负载类型：感性，阻性，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：3000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100V/ns，电流 - 输出高、低：1.5A，3A
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：80ns，80ns
技术：磁耦合，通道数：1，上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns，电流 - 峰值输出：3A，电压 - 输出供电：13V ~ 25V
驱动配置：三相，负载类型：MOSFET，驱动通道数：6，工作电压：5.5V~40V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：硬件
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 60V
电机类型 - 步进：多相，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥（2），应用：通用，接口：SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
最后售卖
技术：射频耦合，通道数：2，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：75ns，75ns
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 26V
驱动配置：三相；半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：1.2A，拉电流(IOH)：800mA
驱动配置：低边；高边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：600mA
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
最后售卖
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
不适用于新设计
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
开关类型：通用，输出数：1，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：N 通道
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V