咨询/建议
负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：8V~20V，下降时间(tf)：80ns，工作温度：-45℃~+125℃
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2A
驱动配置：高边；低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2.5A
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：6，灌电流(IOL)：250mA
负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：4A，拉电流(IOH)：4A，工作电压：10V~20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.6V ~ 13.2V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：1，灌电流(IOL)：600mA
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 20V
最后售卖
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：17V（最大）
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：PWM
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6.5V ~ 18V
输出配置：半桥，应用：通用，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：双极，NMOS，功率 MOSFET
输出配置：半桥，应用：DC-DC 转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：N 沟道 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：模拟，逻辑，负载类型：容性和阻性，技术：功率 MOSFET，IGBT
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，步进电机，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：BCDMOS
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V
驱动配置：全桥，通道类型：同步，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.6V
技术：容性耦合，通道数：1，电压 - 隔离：2500Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：90ns，90ns
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 16V
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
输出配置：半桥（6），应用：DC 电机，通用，接口：SPI，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高压侧和低压侧，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 24V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 17.5V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 20V
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V