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DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMN6075S-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.233 1+:￥0.263 |
404 |
25+
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圣禾堂
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DMN6075S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.2373 3000+:￥0.2532 500+:￥0.2985 150+:￥0.3384 50+:￥0.3916 5+:￥0.4981 |
66785 |
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立创商城
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DMN6075S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.24232 1+:￥0.27352 |
15396 |
23+
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硬之城
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DMN6075S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.24232 1+:￥0.27352 |
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25+
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硬之城
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DMN6075S-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.2475 6000+:￥0.2672 3000+:￥0.2813 800+:￥0.3938 200+:￥0.5626 10+:￥0.872 |
299 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 606 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |