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T2N7002BK,LM
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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T2N7002BK,LM(T
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.048 1+:￥0.0605 |
54408 |
25+
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圣禾堂
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T2N7002BK,LM(T
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Toshiba(东芝)
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SOT-23
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3000+:￥0.04992 1+:￥0.06292 |
54400 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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T2N7002BK,LM(T
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-23
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30000+:￥0.0528 6000+:￥0.057 3000+:￥0.06 800+:￥0.084 100+:￥0.12 20+:￥0.1953 |
54408 |
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油柑网
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T2N7002BK,LM
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23
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24000+:￥0.053 6000+:￥0.0602 3000+:￥0.0684 500+:￥0.0822 50+:￥0.107 |
25200 |
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立创商城
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T2N7002BK,LM
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Toshiba(东芝)
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SOT-23
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3000+:￥0.065 1200+:￥0.0773 600+:￥0.0781 50+:￥0.1017 |
3360 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |