MMBTA56LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0904
1,399,123
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
MMBTA56LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0904

1+:¥0.114

249425

25+
立即发货
MMBTA56LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.0921

9000+:¥0.0993

3000+:¥0.1127

600+:¥0.1433

200+:¥0.1691

20+:¥0.2155

10660

-
立即发货
MMBTA56LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09367

606900

25+
1-3工作日发货
MMBTA56LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09402

1+:¥0.11856

249242

25+
1-2工作日发货
MMBTA56LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0961

100+:¥0.1039

1+:¥0.1078

27996

2412
现货最快4H发

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3