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IRF640NPBF
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V，耗散功率(Pd)：104W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF640NPBF
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JSMSEMI(杰盛微)
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TO-220C
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100+:￥0.952 30+:￥1.165 10+:￥1.44 1+:￥1.836 |
11852 |
20+/21+
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在芯间
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IRF640NPBF-JSM
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JSMSEMI(杰盛微)
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TO-220
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5000+:￥1.02 2000+:￥1.0948 500+:￥1.2195 150+:￥1.4996 50+:￥1.724 5+:￥2.3806 |
11675 |
-
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立即发货
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立创商城
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IRF640NPBF
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JSMICRO/深圳杰盛微
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TO-220-3
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2500+:￥1.035 1500+:￥1.0661 500+:￥1.1075 150+:￥1.5297 50+:￥1.7078 5+:￥1.8113 |
1194 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF640NPBF
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JSMICRO/深圳杰盛微
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TO-220-3
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3000+:￥1.035 2000+:￥1.062 1000+:￥1.08 |
300000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 104W |