CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0499
52730
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.112
120642
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1595
1080
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.153696
14619
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.154
19177
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-41
¥2.03
143
正向压降(Vf):1.8V@0.1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@2kV
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.02127
1540
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.03876
17546
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0498
107217
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.06
77146
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.068
290417
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.07639
52069
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.101277
254705
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
华轩阳
SOD-123
¥0.030005
5440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@0.15A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.032
172096
直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):410mW,反向恢复时间(Trr):4ns
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.06136
307385
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.062
27061
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0715
3500
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.3V@300mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.041748
104316
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0643
9740
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0699
73470
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-523F
¥0.1372
8137
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-323HE
¥0.0264
93062
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
华轩阳
SOT-23
¥0.027993
26540
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-323FL
¥0.04057
4630
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):400mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0542
286387
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
TOSHIBA(东芝)
S-Mini
¥0.1067
53010
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.089
51514
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1016
57336
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1221
19070
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.136
315436
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.152872
100681
二极管配置:2 对 CA + CC,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.316
1825
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CBI(创基)
SOT-23
¥0.02142
38568
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
KEXIN(科信)
SOD-123FL
¥0.0261
3000
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.04482
11206
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.02628
19586
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.03132
5850
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0372
6206
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
LL-34
¥0.03827
48135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0425
36016
二极管配置:1对串联式,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA,反向电流(Ir):2.5uA@75V
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.054
94226
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0525
362462
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.06
9990
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.04004
12059
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.116
196627
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.155
64034
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.102168
28640
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-923
¥0.15184
39595
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.167376
9838
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):240 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA