DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1716
26105
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0233
1052448
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.03619
3792
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.14456
33979
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.02
303721
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0209
44367
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0333
16843
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07207
16575
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CBI(创基)
SOT-363
¥0.0699
34323
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.0904
124450
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.023465
138000
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0264
4294050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.0424
25800
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.047
34920
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:175mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.05733
471046
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.061401
166765
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0987
169930
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.121735
39097
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0188
34848
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:300mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0281
34256
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.03621
4400
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
KUU(永裕泰)
1206
¥0.038
308650
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
华轩阳
SOT-23
¥0.04524
69352
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.048
31400
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.0499
2956
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.042
13945
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.069
46031
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.066
4700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.07461
3380
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:215mA
DIODES(美台)
SC-79,SOD-523
¥0.102
60764
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.148
30369
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
720573
二极管配置:1对共阴极,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.058
35113
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.07498
15451
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
QuadroMELF
¥0.0875
5677
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.08559
9203
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0899
47800
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOT-23
¥0.08653
7660
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
TOSHIBA(东芝)
SC-76-2
¥0.0889
11460
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0483
354515
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.06812
31221
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05304
12501
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOT-323-3
¥0.07054
51299
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.108
5809
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
DO-204AL
¥0.3212
5750
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-35
¥0.01888
7250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.020492
20947
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOD-523
¥0.0397
24985
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
ST(先科)
SOT-23
¥0.0495
19032
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):715mV@1mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
KEC(开益禧)
USC
¥0.0615
5786
正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW