MDD(辰达行)
GBJ
¥1.80298
4901
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥3.03
2266
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.25536
4825
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Infineon(英飞凌)
SOT-143
¥0.92
52093
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 200 mA
KUU(永裕泰)
MBS
¥0.038984
433523
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
MBS
¥0.0484
1955682
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
Hottech(合科泰)
ABS
¥0.05928
30661
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
DB
¥0.1781
16458
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.56888
94121
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
MDD(辰达行)
GBU
¥1.15
1320
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
MBF
¥0.04036
53652
正向压降(Vf):1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
MDD(辰达行)
MBF
¥0.4805
7425
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
MDD(辰达行)
GBU
¥0.58744
3846
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6391
10561
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
ULBF
¥0.66
21057
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.0072
2363
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 25 A
DOWO(东沃)
MBF
¥0.03796
15407
直流反向耐压(Vr):1kV,工作结温范围:-55℃~+150℃
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1034
77571
正向压降(Vf):980mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
MBS
¥0.3307
8297
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
MDD(辰达行)
MBF
¥0.0424
137387
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.157795
3560
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
TTF
¥0.7537
3085
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
MBS
¥0.0815
8472
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
ABS
¥0.0781
49623
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
JUXING(钜兴)
DBS
¥0.144
7976
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.56
7558
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.34
1497
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
UMB
¥0.0753
29550
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0803
103168
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
不适用于新设计
MCC(美微科)
MBS
¥0.22631
2712
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.238
7110
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.38223
3275
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):550uA
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.4738
6760
正向压降(Vf):1.3V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
GBU
¥0.672
2666
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.4248
1995
正向压降(Vf):1.05V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.2017
7450
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JUXING(钜兴)
KBP
¥0.195795
720
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.0364
5960
正向压降(Vf):1V@0.3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:600mA,反向电流(Ir):5uA@600V
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.0627
6900
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
GOODWORK(固得沃克)
HBS
¥0.58734
4345
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥4.4824
524
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0858
116543
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
MBF
¥0.1339
160
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.15184
84589
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6557
4585
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SDIP-4
¥1.38
6858
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
LGE(鲁光)
MBF
¥0.06318
4768
正向压降(Vf):1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
不适用于新设计
MCC(美微科)
MBS-1
¥0.168
25118
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.208
7119
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
晶导微电子
KBP
¥0.2728
16845
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V