SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.20072
50323
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.2805
68972
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.33291
14125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.42
24903
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.0576
76490
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.084575
13120
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.07033
523412
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0869
231035
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
DOWO(东沃)
SOD-123HE
¥0.1084
10880
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.121695
36140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.14664
17282
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.137
90739
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.13083
226498
正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@200V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.182
14760
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.21069
80663
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.2231
4060
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 250 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.3775
3470
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):340 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.37
34337
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):333 mW
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.5039
1353
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.384
376227
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.493
259397
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-323
¥0.0182
304777
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.02484
40349
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.03348
33048
正向压降(Vf):520mV@250mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
WILLSEMI(韦尔)
DFN1006-2L
¥0.08944
70593
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.155
211874
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.1854
6210
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):50uA@100V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.19
8923
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.55
35112
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04701
46362
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
华轩阳
SOD-123F
¥0.05432
14870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.06678
24030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0902
201764
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):750mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0869
181304
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323FL
¥0.0848
23600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.11648
20665
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@500mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:500mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.114
177484
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.144
26750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.155
18057
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMA(DO-214AC)
¥0.2128
14550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.263549
29137
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.06516
21568
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.06968
323245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.077309
27533
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
DOWO(东沃)
SMB
¥0.0896
83894
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1002
142595
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMAF
¥0.113
110584
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@200V
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.177408
8724666
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
PowerDI-123
¥0.165
150519
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA@100V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.231
12094
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A