ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.21
25290
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.318402
38034
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07987
122998
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
JUXING(钜兴)
DO-214AC(SMA)
¥0.07562
4880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.08166
222636
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.1147
11820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.1822
7750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
SMB-FL
¥0.211
25505
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.47
849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277
¥1.508
11669
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):790mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:15A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.088
127213
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0608
97185
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.2464
17488
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.13
31208
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WILLSEMI(韦尔)
FBP1608-2L
¥0.165
131963
正向压降(Vf):600mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):100uA@40V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.19114
49518
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.26721
18570
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.774
225
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.91416
34750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):590mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
TO-252-2
¥1.26
588
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.0247
0
正向压降(Vf):240mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.028
72279
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.05574
47089
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0499
717822
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA
晶导微电子
SMA
¥0.0625
192853
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@20V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.066976
197500
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0883
21623
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):550mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.0794
363543
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.11
584662
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):350uA@40V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.144
20201
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A
Slkor(萨科微)
TO-277
¥0.325
34227
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.445
31998
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
MCC(美微科)
TO-277-3
¥1.36
3725
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0315
50670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323
¥0.044
264220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.049305
47242
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.07656
11960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.06209
1321107
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,工作结温范围:-55℃~+125℃
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0839
73172
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.09269
86070
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.110095
365408
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.1078
179413
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.1073
331770
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1122
375845
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
ST(意法半导体)
SOT-23-3L
¥0.144
10371
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.138
472592
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 250 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.18886
28833
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2739
9945
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.337
75448
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+150℃
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.575
84058
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)