VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.426
307109
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DSN-2(0.8x1.6)
¥1.2573
2382
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.0361
19780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.053
63035
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0568
415298
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1057
391854
正向压降(Vf):450mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):500uA@30V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.10406
48546
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.174
92405
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.28233
8570
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.43926
4267
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.39051
5181
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.754015
26143
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.73
37586
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥1
12464
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOD-523
¥0.026
15516
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.03391
191040
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.03411
35968
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0836
719048
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@60V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.10161
202794
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.129
154478
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1795
75197
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.19978
158527
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.225
11280
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.417186
88421
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.514
26663
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.97656
43661
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):420mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-277
¥1.05241
11673
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):340mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
TO-277
¥1.422
2338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:15A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.4352
1113
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥2.17
155
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):475 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.03359
14322
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
LRC(乐山无线电)
SC-70-3
¥0.0475
254464
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0874
11378
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0632
3760
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0742
126772
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:2A
晶导微电子
SMB
¥0.205
213002
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@200V
晶导微电子
SMC
¥0.272
60684
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.364
33411
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.37953
152144
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-277
¥1.09
14366
正向压降(Vf):480mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A,反向电流(Ir):100uA@45V
DIODES(美台)
SMC
¥1.109
42692
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0511
73960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0546
39736
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0664
24099
正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):250uA@20V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0701
291344
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@100V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0899
17640
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.11336
45958
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
Nexperia(安世)
SC-79,SOD-523
¥0.15
216619
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMA
¥0.185
198395
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.22
31295
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)