ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.285
584629
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
TO-277
¥0.573135
1770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.513
191942
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1121
2000
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
BORN(伯恩半导体)
DO-214AA
¥0.122
15395
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
onsemi(安森美)
SC-79,SOD-523
¥0.1077
799500
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1172
10540
正向压降(Vf):380mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):250uA@20V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.14
322240
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.21
37488
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA
¥0.359
984079
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.426
345945
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.70005
39895
正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@45V
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥0.728
203828
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@8A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.04264
588160
正向压降(Vf):390mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.049385
53680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.12
71276
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):280 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMA(DO-214AC)
¥0.116
428377
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.147
324689
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.17
299294
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.334475
10495
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.04784
12314
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.08518
23213
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.16328
290261
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@40V
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.223
73535
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.299
65829
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.636
264166
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AC,SMA
¥0.8631
5365
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):330 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-723
¥0.06336
32939
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):350mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SMA
¥0.06094
188908
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.08189
53553
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):50uA@100V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.11336
59074
正向压降(Vf):500mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.1408
16529
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.15288
25333
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
PowerDI-123
¥0.13784
6500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.3536
256511
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):830 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0388
224517
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.047
1041037
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.06138
177781
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0764
4966460
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
UMW(友台半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.1005
10950
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@60V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.42328
51423
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.5875
7315
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):490mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.85
34926
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.9186
6452
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.09485
63833
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0955
50890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
124844
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SMB(DO-214AA)
¥0.224
5720
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-65℃~+150℃
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.286
65016
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.472
44400
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)