MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0552
5990
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.112
17621
正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA@40V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0905
300291
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@200V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1024
9922
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.115
18091
正向压降(Vf):430mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):130uA@30V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.145
106492
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.14
1215242
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+150℃
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.18304
146495
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.1823
123967
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.3553
36830
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BOURNS(伯恩斯)
1206
¥1.2
3389
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05439
11658
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1
134265
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.17695
72828
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Leiditech(雷卯电子)
SMA
¥0.2014
12748
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.32
215422
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.337
106880
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.79
14855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.766
140061
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-263
¥1.72
3723
正向压降(Vf):840mV@30A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:60A,反向电流(Ir):3mA@100V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.03068
175931
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
华轩阳
SOT-23
¥0.03671
47169
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.046718
69950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1166
90581
正向压降(Vf):700mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.11
13612
正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):2.6mA@8V
onsemi(安森美)
SOT-323(SC-70)
¥0.09693
90896
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.119035
4496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1216
10236
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.20488
30228
正向压降(Vf):525mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@40V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.28863
61924
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.3785
34887
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.42436
2898
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.47632
15456
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):400mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 400 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.499
52948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-523
¥0.02457
29038
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
华轩阳
SMA
¥0.036432
14230
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0488
11700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.092
311653
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0899
21207
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
DO-204AH,DO-35,轴向
¥0.13993
44167
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):430 mW
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.1716
58579
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.198
11286
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.158207
51875
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.165
204212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.181
702025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.19005
32758
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DOWO(东沃)
TO-277B
¥0.299
41654
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@100V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.34944
51905
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.36
433253
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.385
187250
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):25 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)