Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.845955
13769
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):475 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04961
20069
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-723
¥0.058
108862
正向压降(Vf):450mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):500nA@10V
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.0622
458362
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.0875
51060
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
ZHIDE(志得)
SOD-123
¥0.103835
1280
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.106
178418
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.2318
3210
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@40V
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.22
19075
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-76,SOD-323
¥0.2739
45584
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):5V,电流 - 最大值:30 mA,不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0.2V,1MHz,工作温度:125°C(TJ)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.3749
7399
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.72
28665
正向压降(Vf):520mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):300uA@45V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0244
246758
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.02922
23644
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0625
56147
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.06849
1093139
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.07389
94875
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SC-70,SOT-323
¥0.0904
155779
二极管配置:1 对串行连接,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 1 mA
晶导微电子
SMAF
¥0.121
295234
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.136
67545
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.254
124434
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMA
¥0.31
48458
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.4992
29670
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.57824
17767
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):860mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.534
41845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.505
7307
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
KEXIN(科信)
SOD-323
¥0.0544
4450
正向压降(Vf):750mV@3.1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.162
6272
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.231
33348
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.3432
359852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.398762
13764
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA
YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.57824
13269
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥2.08
13078
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 6 A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04056
16390
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.0499
32641
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.056
314285
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SOD-323
¥0.05448
20889
正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.06136
21929
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0693
65209
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:15mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.06712
16460
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500nA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.06167
663768
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.07209
20150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.10816
7802
正向压降(Vf):450mV@300mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:300mA,反向电流(Ir):50uA@20V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1118
730206
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.3232
1253
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMB
¥0.4351
52697
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.298287
35625
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.4608
55252
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.8074
24250
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):200uA@200V
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥0.8864
4460
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)