ST(意法半导体)
DO-221AA,SMB(直引线)
¥0.490346
0
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
PANASONIC(松下)
0402
¥1.72
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-123FL
¥1.73
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.71
113
正向压降(Vf):600mV@20A,整流电流:40A,反向电流(Ir):7mA@60V
停产
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥1.77
1250
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-277A
¥1.1986
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥2.05
45
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.8
21
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.8084
62
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 µA @ 40 V
Tokmas(托克马斯)
TO-220AC
¥1.81
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.8V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
SOD-323HE
¥1.84
1870
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥1.77
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277B
¥1.843
15
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
DIODES(美台)
TO-220AB-3
¥1.95393
0
正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:40A
Nexperia(安世)
CFP-15-B
¥4.45
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 4 A
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥2.32
99
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥1.91
2
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥2.04
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:15A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥1.92
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@40A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:40A
onsemi(安森美)
SMA
¥1.7867
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AC
¥1.92
12
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220AC
¥2.00917
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥2.2628
1102
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥1.96
72
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.96
7
正向压降(Vf):830mV@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:40A,反向电流(Ir):500nA@150V
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥1.8
530
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥1.76
33
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-128
¥0.808
15
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JJW(捷捷微)
TO-220AB
¥2.01
60
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥1.28
1085
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥2.05
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥2.04
133
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥2.09
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 30 A
PANJIT(强茂)
TO-220
¥3.6667
0
正向压降(Vf):700mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:40A
SHIKUES(时科)
TO-220F-3
¥2.16
0
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥2.1
7
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):650mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A
SMC(桑德斯)
ITO-220AB
¥1.7003
24
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-220AC
¥2.2
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):7.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.3035
75
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):780mV@10A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:20A
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥2.24
1
正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥3.59
60
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 8 A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ITO-220AB-3
¥2.26
1
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥2.27
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):670mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
SMC(桑德斯)
TO-220AC
¥2.27
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850 µA @ 60 V
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥2.451
45
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):560mV@20A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥2.475
59
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:40A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.9998
2230
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):995 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥2.31
98
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥2.32
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥1.7079
0
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 5 A