FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.05959
122505
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):25uA@8V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.07384
63587
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.084
78016
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0847
11222
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.2704
73703
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):380mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 275 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04176
133330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.079
99925
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.09495
286951
正向压降(Vf):385mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):250uA
华轩阳
SOD-123FL
¥0.10215
35580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.295
94382
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2999
32392
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.43952
97908
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.565
61465
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.036575
24018
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):40A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.2846
919691
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.34
33198
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.43758
46918
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0572
50212
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.06042
122161
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.07155
143606
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0713
43832
正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):100uA@20V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1012
57738
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-76,SOD-323
¥0.119
200950
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):70V,电流 - 最大值:15 mA,不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):150 mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.11616
315428
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.15288
69033
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.14976
40114
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.2038
19996
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.43381
48496
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
华轩阳
TO-277
¥0.8
24671
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.47
268257
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):660mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-523
¥0.04618
134495
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
LRC(乐山无线电)
SOD-923
¥0.0555
256391
正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0729
141413
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0827
862708
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.11336
22467
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.09048
50489
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.11648
413075
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123FL
¥0.11
22872
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.178577
114035
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.292
689867
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.34358
30519
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.8
507
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOD-523
¥0.041
68372
正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0968
193875
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1122
215852
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:3A,反向电流(Ir):25uA@8V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.19055
42711
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.21
70613
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.243
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.35967
3965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.441
14676
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)