GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02888
62039
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.041895
102743
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0577
51683
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.08403
159494
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.12272
310364
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.15912
133494
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.6014
17546
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
平晶
SOD-323
¥0.0735
24865
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15419
37800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥0.4471
4645
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1322
6502
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.08968
41005
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.08887
494135
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.16328
21784
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.6983
46654
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0685
141727
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@30V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.099
222170
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.175
116522
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.25
77045
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.283
152014
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):445 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0429
170547
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0462
550055
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):2uA@75V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0896
256394
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.17
193066
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.30552
4349
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@30V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.06241
326835
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.6754
127458
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-123F
¥0.4
15534
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0363
3961773
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.07509
122779
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):680mV@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.0754
7501
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.074399
332744
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.0957
124044
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.18
175513
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.2989
65774
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOT-23
¥0.0209
49607
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0443
161262
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.115
129594
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.116
106333
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.195
28603
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.25
73833
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0456
60140
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523-3
¥0.0762
163409
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.056
448435
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.3286
55531
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):380 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.4484
16588
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0516
1007777
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0554
23175
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.402
520938
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.05568
28800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A