CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
147002
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):7V~7.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
83358
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.095
9200
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.0633
436006
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.0639
1660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
ST(先科)
DO-35
¥0.064
2855
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):3uA@8V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.05472
14515
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
华轩阳
SOD-323
¥0.060543
1260
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.01794
6192
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):25uA@1.0V,稳压值(范围):3.14V~3.47V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0656
1020764
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,稳压值(范围):7.13V~7.88V,耗散功率(Pd):500mW
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.065
92239
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.0684
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0682
2650
稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7V,稳压值(范围):9.8V~10.2V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0682
1000
稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):4.21V~4.39V,耗散功率(Pd):500mW
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
21700
稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):4.09V~4.52V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
7640
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.14V,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.06957
5920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA@1.0V,稳压值(范围):2.2V~2.6V
PANJIT(强茂)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0692
17871
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0706
155418
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.1075
3520
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
28359
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
30630
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.11113
22290
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±2.09%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0737
111275
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):8.04V~8.36V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.078755
2560
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.76V~12.24V
德昌电子
LL-34
¥0.074
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):200nA@23V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0803
23118
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.07576
2560
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12V,稳压值(范围):15.2V~17.1V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0759
124595
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
158116
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):19V~21.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0671
37026
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7.35V~7.65V
AnBon(安邦)
SOD-323
¥0.0529
2920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0787
80841
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.92V~9.28V,耗散功率(Pd):500mW
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.08
10440
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.1064
7760
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
30624
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):1uA@52V,稳压值(范围):64.6V~71.7V
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.09256
19112
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0759
14010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):4uA@2V,稳压值(范围):4.09V~4.52V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.073865
5123
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5.63%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0869
734
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):17.1V~18.9V,耗散功率(Pd):1W
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0933
111535
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.2 V,容差:±4.32%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 µA @ 700 mV
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0876
820
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±2.04%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.084
45033
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
华轩阳
SMA
¥0.094703
3420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0881
49540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09152
16933
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1363
20
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0895
2540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):19.52V~20.39V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.094905
820
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.089965
1600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):150V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):140V~157V