MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.08523
520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):47V,反向电流(Ir):1uA@35V,稳压值(范围):44.9V~49.8V
PANJIT(强茂)
MiniMELF
¥0.0907
6540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1281
2920
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0909
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@18.9V,稳压值(范围):25.1V~28.9V
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.091
25518
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
ST(先科)
MiniMELF
¥0.0837
2800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.8V~10.2V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.1448
1460
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1051
7500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
ROHM(罗姆)
SC-79,SOD-523
¥0.089
77130
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):42 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.09454
20398
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14.66 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11 V
FOSAN(富信)
SMA(DO-214AC)
¥0.1101
5520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA@8V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.092606
8200
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 36 V
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.04557
1420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.096
15380
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):2.35V~2.45V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0959
9320
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0911
21362
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 15.4 V
PANJIT(强茂)
SC-90,SOD-323F
¥0.111
10140
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±2.05%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1
60774
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
ST(先科)
DO-41
¥0.1
172
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1
118047
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.9 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1001
8588
稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@25.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):45Ω
ST(先科)
LL-41
¥0.1001
39028
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.10804
10000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
ST(先科)
SOD-323
¥0.10171
14160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):100nA@56V,稳压值(范围):70V~79V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.1055
10620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12V,稳压值(范围):15.2V~17.1V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0901
4119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±1.67%,功率 - 最大值:590 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
PANJIT(强茂)
MiniMELF
¥0.0923
3580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1155
6053
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.1056
9520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.92V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1041
4044
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):90nA@8V,稳压值(范围):11.76V~12.24V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.108205
12754
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 25.2 V
德昌电子
SOD-123
¥0.1083
120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):90nA@8V,稳压值(范围):11.76V~12.24V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1085
20
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):50uA@1.0V,稳压值(范围):2.85V~3.15V,耗散功率(Pd):200mW
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10754
39290
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):1uA@47V,稳压值(范围):58.9V~65.6V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1087
1400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0881
3260
稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):10.28V~11.22V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.1068
1640
稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3.0V,稳压值(范围):6.06V~6.33V,耗散功率(Pd):225mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1099
10220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):90nA@8V,稳压值(范围):10.78V~11.22V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.11
4520
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±2%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8.5 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.10816
7204
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.104
24004
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123G
¥0.112
3120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.113
4500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.1108
2004
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V
Prisemi(芯导)
SOD-323
¥0.1138
680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):200mW
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.115
8989
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.115
29403
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.1078
500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18.51 V,容差:±2.46%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:70 nA @ 17.1 V
VISHAY(威世)
DO-35(DO-204AH)
¥0.116559
5430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 5 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1175
4150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):500nA@20V,耗散功率(Pd):1.3W