PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.1838
2880
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2.08%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.119
400
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.76V~12.24V,耗散功率(Pd):150mW
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.112
23920
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.13
17047
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2.5 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.07182
8200
二极管配置:1对共阴极,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6V,稳压值(范围):7.79V~8.61V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1345
1280
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0956
7100
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
ST(先科)
LL-41
¥0.129
3549
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1304
2870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):95V~105V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.137
2320
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24.25 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.1333
17811
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.1497
24355
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.134
1160
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
Nexperia(安世)
SOD-323F(SC-90)
¥0.1511
7290
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.14
8347
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-323F(SC-90)
¥0.14384
9510
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
DOWO(东沃)
DO-214AC(SMA)
¥0.1505
14310
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):2W,阻抗(Zzt):4.5Ω
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1692
10250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,稳压值(范围):12.4V~13.7V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1529
20
稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA@17V,稳压值(范围):20.8V~23.3V,耗散功率(Pd):1W
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1594
1140
稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@27V,稳压值(范围):34.2V~37.9V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.1545
13330
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5 V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.16
32856
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,工作温度:-55°C ~ 150°C
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.176
7824
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.1616
73131
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 4 V
ST(先科)
SOD-123FL
¥0.1964
2900
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):1W
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.116
0
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.68V~16.3V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.185345
5180
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):4.08V~4.52V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.1545
8000
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1837
8442
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.168
115
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5.6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 25.2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1563
190
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.16929
5465
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.1601
300
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 15.4 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1925
4254
配置:1 对共阴极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.1708
40
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 30 V
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.171
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V
德昌电子
LL-41
¥0.17765
8769
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.195
11720
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.181
720
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
晶导微电子
SMA
¥0.1869
5490
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
德昌电子
DO-41
¥0.18408
11220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.0996
34654
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 1 V
PANJIT(强茂)
DO-41G
¥0.1887
80
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
ZHIDE(志得)
SOD-123FL
¥0.18981
3310
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):2.85V~3.15V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.182554
18950
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2068
5964
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):78 Ohms
MCC(美微科)
DO-214AC(SMAJ)
¥0.182
54745
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.196248
5870
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.2052
18810
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):3.14V~3.47V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2018
12370
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,工作温度:-55°C ~ 150°C