LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.265
7715
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):5uA@7V,稳压值(范围):8.19V~10V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.25695
590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):3.13V~3.47V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.23796
6855
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.2967
18695
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15.2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2414
8790
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):2.5uA@6.5V,稳压值(范围):7.79V~8.61V,耗散功率(Pd):1.5W
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.27576
9750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.319
5462
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.31
12738
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
ST(先科)
SOD-123
¥0.3181
7810
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.48V~12.6V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
25870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):47V,反向电流(Ir):500nA@35.8V,耗散功率(Pd):5W
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
25530
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.37017
655
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):19V~21V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.33642
3295
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):64.6V~71.4V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.36
2750
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 38.8 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33867
3380
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):15.2V~16.8V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.40185
7990
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
DIODES(美台)
Power-DI-123
¥0.429
13712
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 7.5 V
DIODES(美台)
SMB
¥0.411
22001
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.4704
6738
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 29.7 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.129808
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):750 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 84 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.4427
40
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA,工作温度:-55°C ~ 150°C
onsemi(安森美)
插件,D3.3xL8.4mm
¥1.37
20
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 76 V
DIODES(美台)
SMB
¥0.534
29029
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.2 kOhms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 152 V
DIODES(美台)
PowerDI123
¥0.55
36184
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 18 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.585981
2551
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±1%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.47745
1190
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.13V~3.47V
ZHIDE(志得)
SMB
¥0.6061
2895
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):3W
DIODES(美台)
PowerDI123
¥0.641
36913
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.68157
815
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):60V,反向电流(Ir):500nA@43V,稳压值(范围):58.9V~65.1V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.815166
44130
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±1%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥1.0094
1789
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5.91%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 8 V,工作温度:150°C(TJ)
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥1.0351
225
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.7803
1500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6.45%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 3 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.78936
3774
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 7.5 V
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥1.13184
35
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±10%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 12.2 V
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.904
1142
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥2.5
42
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
插件,D3.3xL8.4mm
¥1.62
136
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0474
11760
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.020808
3495
稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.0252
1850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.9V~23.1V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.02665
3150
稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31.35V~34.65V,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.01995
7850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):50nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0264
247948
稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V,耗散功率(Pd):500mW
JUXING(钜兴)
LL-34
¥0.02603
2500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@15V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
华轩阳
SOD-123
¥0.030544
350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1.6uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
华轩阳
LL-34
¥0.028025
14400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.38V~2.56V
JSMSEMI(杰盛微)
MiniMELF
¥0.02983
2350
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,耗散功率(Pd):500mW,阻抗(Zzt):16Ω
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.02983
5035
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,耗散功率(Pd):500mW,阻抗(Zzt):30Ω
JUXING(钜兴)
LL-34
¥0.028025
2400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.8V~6.6V