VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.2403
4565
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2843
420
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.205
31063
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-92LM
¥0.2916
935
耗散功率(Pd):900mW
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.236
110
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.9 V
DIODES(美台)
SOD-923
¥0.2821
17280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.12236
160
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.23921
2180
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 nA @ 10.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.1772
1850
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@5.9V,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):1.5Ω
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.235
930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13.25V,反向电流(Ir):2uA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.2259
1680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA@15.2V,稳压值(范围):19V~21V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.26442
9526
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.2589
3320
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.271
1917
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 51.7 V
YFW(佑风微)
DO-214AA(SMB)
¥0.290225
3085
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.266
68299
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 27 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3497
1825
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):12.5uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V,耗散功率(Pd):1.5W
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.277
168990
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20.8 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 15 V
DIODES(美台)
SMA
¥0.245565
12662
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 16.7 V
SUNMATE(森美特)
DO-15
¥0.3575
24905
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):500nA@69.2V,稳压值(范围):86.45V~95.55V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
28020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):500nA@20.6V,耗散功率(Pd):5W
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
24025
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3575
26555
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.3407
6455
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):9.5V~10.5V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.2983
4797
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.312
76856
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 13 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.334875
405
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):180V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):171V~189V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.3332
10228
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.4 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.33668
395
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9V,反向电流(Ir):7.5uA@6.9V,稳压值(范围):8.65V~9.56V
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.293
16594
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28.9 V,容差:±6.57%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 21 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.3495
220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):3.14V~3.47V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.4114
1601
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.406
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.4113
3205
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6.2V,稳压值(范围):7.79V~8.61V
DIODES(美台)
SMB
¥0.401
18465
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.422
645
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.355
40374
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 3 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SMB
¥0.5874
13246
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):67 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 35.8 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.52425
1520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):1uA@27.4V,稳压值(范围):34.2V~37.8V
MSKSEMI(美森科)
SMB(DO-214AA)
¥0.553375
2060
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):19V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4
31176
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):130 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 98.8 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.52425
1395
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA@1.5V,稳压值(范围):4.46V~4.94V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.501
2425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±1%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 700 mV
onsemi(安森美)
SMA
¥0.602973
40858
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):120 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 51.7 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.616671
13275
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.6291
5
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):7.5uA@6.9V,稳压值(范围):8.65V~9.56V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.810711
2985
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±1%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.433
13984
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 7 V,工作温度:150°C(TJ)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.82264
866
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥1.614
95
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 24 V