CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08122
7135
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.108
103014
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1176
26254
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.072
450852
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):5V~5.2V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.087
717915
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0209
685894
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.067
89397
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0624
168203
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.7V~6.3V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05533
498161
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.9V
DIODES(美台)
SMA
¥0.235
21938
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.4 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0475
508506
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA@10.5V,稳压值(范围):14.3V~15.8V
晶导微电子
SMA
¥0.0764
1618260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0277
37591
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08122
37368
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
华轩阳
LL-34
¥0.0227
67811
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):100nA@5V,稳压值(范围):7V~7.9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.073
17870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0761
847101
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.033345
86871
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04337
21452
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
963738
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.081
155266
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.19
38956
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.019584
7465
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
41721
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.0434
82535
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.047
505936
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0206
115696
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.02288
24678
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.2V~6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03744
28450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.112
51759
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.379
6607
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 2 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0488
732233
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):200mW
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.079
87472
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.079
36033
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3532
24611
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.1 V
华轩阳
LL-34
¥0.02163
69316
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA@3V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
晶导微电子
SOD-123
¥0.02818
28731
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
华轩阳
LL-34
¥0.0209
60868
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
晶导微电子
SOD-323
¥0.02912
76246
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0678
240683
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
345898
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0373
92149
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):10.1uA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
晶导微电子
SOD-323
¥0.028
45086
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.034936
370010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0392
897556
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.089
85559
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.10608
47193
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1019
39395
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0499
49751
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):6.4V~7.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0573
47193
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):1.8V,反向电流(Ir):7.5uA@1V,稳压值(范围):1.71V~1.89V