DOWO(东沃)
DO-41
¥0.2016
960
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):20Ω
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.165
9680
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 8 V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2696
1860
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 3 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
Nexperia(安世)
SOD-323F(SC-90)
¥0.151508
29801
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.23274
2820
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2252
13227
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2938
21440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA@12.2V,稳压值(范围):14.4V~17.6V
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.2221
5125
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2.42%,功率 - 最大值:125 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.23958
2865
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):50uA@7V,稳压值(范围):8.645V~9.555V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.267
2540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.1833
2030
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,耗散功率(Pd):1.5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.2961
1275
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):8.65V~9.56V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.26442
8955
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):1uA@27.4V,稳压值(范围):34.2V~37.8V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.2793
5035
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V,耗散功率(Pd):2W
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.350082
385
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.2115
5695
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.9V,稳压值(范围):11.7V~14.3V
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.2855
930
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.262
6985
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):250nA@2V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
785
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
24100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):150V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.33003
590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):500nA@16.7V,稳压值(范围):20.9V~23.1V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.345705
1195
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):500nA@27.4V,稳压值(范围):34.2V~37.8V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.416
3960
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):400 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 69 V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.33402
515
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA@7.6V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.435
480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
DIODES(美台)
SMB
¥0.385
127604
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11.4 V
停产
Comchip(典琦)
0201(DFN0603)
¥0.4201
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5.61%,功率 - 最大值:100 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.466
4220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):1uA@47V,稳压值(范围):58V~66V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.55005
1800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.7V~6.3V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.51205
9640
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):120 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 51.7 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.539125
125
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
MCC(美微科)
DO-214AC,SMA
¥0.5274
12850
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):130 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 98.8 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.64
1758
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):17.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 16.7 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.661584
5240
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 9.1 V
onsemi(安森美)
DO-27
¥1.00862
5427
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 6.2 V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.01079
6200
稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):100nA@27V,稳压值(范围):34V~38V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.018658
8850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323W
¥0.02368
2950
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):300mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.025532
22050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.027005
4850
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.14V~3.47V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0264
1470644
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03056
5300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123W
¥0.02946
2900
稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3.0V,稳压值(范围):5.8V~6.8V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
7700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
12575
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
2750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):28V~32V
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
2300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.03066
1400
稳压值(标称值):43V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):40V~46V,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.039864
181400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):4V~4.6V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.02158
0
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V,耗散功率(Pd):500mW