BZT52C3V0LP-7
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.350082
385
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BZT52C3V0LP-7
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2

6000+:¥0.3501

3000+:¥0.3572

500+:¥0.3689

150+:¥0.3954

50+:¥0.4166

5+:¥0.4661

385

-
立即发货
BZT52C3V0LP-7
DIODES(美台)
DFN

60000+:¥0.1721

45000+:¥0.1743

3000+:¥0.1754

1500+:¥0.1987

200+:¥0.2287

1+:¥0.3541

3000

25+
2-4工作日
BZT52C3V0LP-7
Diodes(达尔)
X1-DFN1006-2

3000+:¥0.237

200+:¥0.2678

130+:¥0.4147

3000

-
3天-15天
BZT52C3V0LP-7
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2

3000+:¥0.158

1+:¥0.179

0

-
立即发货
BZT52C3V0LP-7
美台(DIODES)
X1-DFN1006-2

30000+:¥0.1738

6000+:¥0.1876

3000+:¥0.1975

800+:¥0.2765

100+:¥0.395

20+:¥0.6123

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3 V
容差 ±7%
功率 - 最大值 250 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -65°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 0402(1006 公制)