DIODES(美台)
SOD-123
¥0.061
24090
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.069597
6924
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.058125
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0627
207301
稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):4.55V~4.75V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0627
141538
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.98V~5.2V
晶导微电子
SOD-323
¥0.063
4250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7V,稳压值(范围):9.8V~10.2V
ROHM(罗姆)
SOD-323F
¥0.063
39530
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.0674
2050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0616
8986
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):2uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):500mW
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.0624
770
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):64.6V~71.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0671
37264
稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):10.4V~11.6V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0678
11460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA@5V,稳压值(范围):8.02V~8.36V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0762
10640
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0686
211915
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):100nA@47V,稳压值(范围):58.9V~65.1V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0982
8020
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
12911
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
23816
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
45251
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
22152
稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.89V~6.51V,耗散功率(Pd):1W
德昌电子
SOD-123
¥0.0708
440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):450nA@6V,稳压值(范围):8.92V~9.28V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0676
29898
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.075
52331
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05606
6001
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.07576
3060
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0782
46218
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.08381
5020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):8.6V~9.59V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.072
2585
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.08721
6120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):43V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):40.9V~45.6V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0676
17891
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2.12%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.08508
22109
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.098705
20901
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0898
20761
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±6%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 38 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0938
24032
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0912
1220
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):5.1V~5.5V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.1133
14732
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6.54%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.09963
1296
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.06252
9535
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±8%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1001
292
稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA@16.7V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):23Ω
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1042
280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2.06%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
25833
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):8.6V~9.59V,耗散功率(Pd):1W
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1022
4830
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):45nA,稳压值(范围):15.68V~16.32V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.1044
4200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.0698
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0853
3000
稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):23.75V~26.25V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1023
2900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.2V~16.8V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.107
1120
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 20 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0705
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2.06%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8 µA @ 4 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.123
23133
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6.38%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1105
800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.3V~14.7V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.058
18712
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2.15%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V