DIODES(美台)
SOD-123
¥0.08
84062
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1178
12501
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
77197
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):43V,反向电流(Ir):1uA@32V,稳压值(范围):40.9V~45.6V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
67998
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):37.2V~41.5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05546
8660
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5.83%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 16.8 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.08137
16910
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA@0.8V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):200mW
Nexperia(安世)
DO-204AH(DO-35)
¥0.05472
9560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0911
2440
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0809
19209
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 15.4 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0836
31640
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):1uA@7.6V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0869
7000
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±7.04%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.08835
45002
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07134
7736
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):17V,反向电流(Ir):50nA@12.9V,稳压值(范围):16.15V~17.85V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0945
4140
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0931
8274
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1
5640
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):3uA@5V,稳压值(范围):6.66V~6.94V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.115
4340
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.099
34782
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0635
38272
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0716
3954
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 25.2 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.097325
9470
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.1454
2860
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 10 mA
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.07372
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,耗散功率(Pd):1W
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
141338
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0929
7620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.06252
54859
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.1102
3660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12.2V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.1059
27408
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 nA @ 10.5 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10891
28710
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):37.2V~41.5V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1085
10928
稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):7Ω
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.113905
18062
稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@27.4V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):50Ω
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.113
120
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.105
66294
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
YFW(佑风微)
DO-214AC(SMA)
¥0.1277
4460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.108
91122
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
7610
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.7 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
79974
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.1331
2480
稳压值(标称值):110V,反向电流(Ir):1uA@84V,稳压值(范围):104V~116V,耗散功率(Pd):1W
PANJIT(强茂)
DO-41G
¥0.1845
3070
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):14.25V~15.75V
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.1555
7200
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.130284
1800
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):1.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SC-90,SOD-323F
¥0.13
11793
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.42 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.1595
17411
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.57 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1529
360
稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):25.3V~28.9V,耗散功率(Pd):1W
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.167485
2280
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):17.1V~18.9V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.15
27309
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.147915
18512
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
DIODES(美台)
0201
¥0.179
71872
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 2 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1969
11092
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
LGE(鲁光)
MicroMELF
¥0.188
2180
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V