晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1609
980
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.115995
3568
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.1155
25240
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.2163
1280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.211
220
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1277
5920
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.143
2061
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
37902
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):270 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 56 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.124
28343
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.1314
3870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100uA,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.1587
2640
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V
Slkor(萨科微)
SOD-523
¥0.0598
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1411
100
二极管配置:1对共阳极,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):300mW,阻抗(Zzt):95Ω
Nexperia(安世)
SOD-882(DFN1006-2)
¥0.111712
15562
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.125214
11230
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±6.98%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1645
4370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.14
92927
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1.5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1539
16
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.17176
3690
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):2.5uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.147
22535
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.845V~5.355V
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.1657
4532
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):17.1V~18.9V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
SOD-123FL
¥0.1739
2440
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.2054
3010
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.175
10613
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):56 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.155111
18146
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1983
5000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@22.8V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2178
18456
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):500nA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V,耗散功率(Pd):1.5W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.24024
10789
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 3 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.21159
4870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):10.45V~11.55V
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.2071
350
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7.5 V
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.2188
2590
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):42 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 nA @ 12.6 V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.1575
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):5uA@42.6V,稳压值(范围):53.2V~58.8V
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.291
1430
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@20.6V,耗散功率(Pd):1.3W
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2585
6925
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):51.7uA@1.0V,稳压值(范围):61.2V~74.8V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.2686
7795
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11V,稳压值(范围):14.4V~15.6V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.28728
24840
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@1V,耗散功率(Pd):2W,阻抗(Zzt):3.5Ω
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3064
2420
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):500nA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1.5W
德昌电子
DO-41
¥0.28
130
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@22.8V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.2885
55609
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1.5 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.2944
10740
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.31408
74589
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 23 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.3157
585
稳压值(范围):4.2V~6.1V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.294
3115
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):20.9V~23.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.36
2696
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):41 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.206
8391
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3173
3660
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33912
1800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
DIODES(美台)
SMA
¥0.407
51402
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 15.2 V
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.736
25
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):89 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:9 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3911
2489
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA