YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.07103
6298
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±2.08%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.121
83622
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.112955
5160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6V,耗散功率(Pd):1W
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.11381
5010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):1uA@56V,稳压值(范围):71.2V~78.8V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1045
3930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):1uA@52V,稳压值(范围):64.6V~71.7V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.112
22980
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.113553
23514
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.11647
4802
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.116
9830
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SC-90,SOD-323F
¥0.0951
7060
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7.5 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.21
35268
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.128
49096
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1343
11309
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 6.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA,工作温度:-55°C ~ 150°C
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1438
11466
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.1461
16778
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
VISHAY(威世)
DO-41 (DO-204AL)
¥0.234
35068
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 18.2 V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.145
6210
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):15.2V~16.8V,耗散功率(Pd):1W
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AA(SMB)
¥0.166725
3500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.177
2800
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
MSKSEMI(美森科)
SMB(DO-214AA)
¥0.18981
1110
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.22797
5125
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):1uA@25.1V,稳压值(范围):31.35V~34.65V
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.2256
13400
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.261
6704
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.29047
3975
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.239
3014
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 11.4 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.134
11000
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.31725
4455
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.87V~4.73V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.299025
26159
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16.9 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 12 V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.328795
15
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.3224
13156
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.228
2250
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):56 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4785
14401
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MCC(美微科)
DO-214AC,SMA
¥0.4471
4900
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 25 V
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.5082
1660
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.348
5215
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.71638
12890
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):300 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 110 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥1.259
4010
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V,工作温度:150°C(TJ)
onsemi(安森美)
DO-27
¥0.9968
530
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
插件,D3.3xL8.4mm
¥1.27
227
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V
JSMSEMI(杰盛微)
MiniMELF
¥0.01989
200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):3uA@7V,稳压值(范围):8.65V~9.55V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.01989
8400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4V~4.6V
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.022
106926
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4V~4.6V
华轩阳
LL-34
¥0.0337
3950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0275
80000
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):50nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V,耗散功率(Pd):300mW
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0273
360
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0264
204150
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
8725
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03104
15550
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03408
15350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.034865
3050
稳压值(标称值):24V,稳压值(范围):22.8V~25.6V,耗散功率(Pd):350mW,阻抗(Zzt):70Ω